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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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产品信息
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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Infineon |
|
产品种类: | MOSFET |
|
RoHS: | 详细信息 |
|
技术: | Si |
|
安装风格: | Through Hole |
|
封装 / 箱体: | TO-220-3 |
|
晶体管极性: | N-Channel |
|
通道数量: | 1 Channel |
|
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
|
Id-连续漏极电流: | 180 A |
|
Rds On-漏源导通电阻: | 3.7 mOhms |
|
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
|
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.8 V |
|
Qg-栅极电荷: | 150 nC |
|
Pd-功率耗散: | 370 W |
|
通道模式: | Enhancement |
|
封装: | Tube |
|
商标: | Infineon Technologies |
|
配置: | Single |
|
高度: | 15.65 mm |
|
长度: | 10 mm |
|
产品类型: | MOSFET |
|
工厂包装数量: | 1000 |
|
子类别: | MOSFETs |
|
晶体管类型: | 1 N-Channel |
|
宽度: | 4.4 mm |
|
零件号别名: | IRFB4110PBF SP001570598 |
|
单位重量: | 2 g |
|
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