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FQB5N90TM只做原装
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FQB5N90TM只做原装

封装 / 箱体::

SC-70-3

Vds-漏源极击穿电压::

900 V

Id-连续漏极电流::

5.4 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 30 V, + 30 V

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制造商:

onsemi

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

SC-70-3

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

900 V

 

Id-连续漏极电流:

5.4 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

2.3 Ohms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 30 V, + 30 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

3 V

 

Qg-栅极电荷:

40 nC

 

Pd-功率耗散:

3.13 W

 

通道模式:

Enhancement

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

onsemi / Fairchild

 

配置:

Single

 

下降时间:

50 ns

 

高度:

4.83 mm

 

长度:

10.67 mm

 

产品类型:

MOSFET

 

上升时间:

65 ns

 

系列:

FQB5N90

 

工厂包装数量:

800

 

子类别:

MOSFETs

 

晶体管类型:

1 N-Channel

 

类型:

MOSFET

 

典型关闭延迟时间:

65 ns

 

典型接通延迟时间:

28 ns

 

宽度:

9.65 mm

 

零件号别名:

FQB5N90TM_NL

 

单位重量:

4 g

 

毅创辉电子成立2008年,拥有14年供货经验,主营ALTERA XILINX

 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

封装 / 箱体::

SC-70-3

Vds-漏源极击穿电压::

900 V

Id-连续漏极电流::

5.4 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 30 V, + 30 V