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产品属性 |
属性值 |
选择属性 |
制造商: |
Infineon |
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产品种类: |
MOSFET |
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技术: |
Si |
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安装风格: |
SMD/SMT |
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封装 / 箱体: |
TO-263-3 |
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晶体管极性: |
N-Channel |
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通道数量: |
1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压: |
200 V |
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Id-连续漏极电流: |
18 A |
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Rds On-漏源导通电阻: |
150 mOhms |
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Vgs - 栅极-源极电压: |
- 20 V, + 20 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压: |
2 V |
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Qg-栅极电荷: |
44.7 nC |
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Pd-功率耗散: |
150 W |
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通道模式: |
Enhancement |
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封装: |
Reel |
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封装: |
Cut Tape |
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封装: |
MouseReel |
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商标: |
Infineon Technologies |
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配置: |
Single |
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下降时间: |
5.5 ns |
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高度: |
2.3 mm |
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长度: |
6.5 mm |
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产品类型: |
MOSFET |
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上升时间: |
19 ns |
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工厂包装数量: |
800 |
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子类别: |
MOSFETs |
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晶体管类型: |
1 N-Channel |
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典型关闭延迟时间: |
23 ns |
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典型接通延迟时间: |
10 ns |
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宽度: |
6.22 mm |
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零件号别名: |
IRF640NSTRLPBF SP001561810 |
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单位重量: |
4 g |
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TO-263-3
200 V
- 20 V, + 20 V
18 A