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FDD9507L-F085现货原装,强势ON
FDD9507L-F085现货原装,强势ON
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FDD9507L-F085现货原装,强势ON

封装 / 箱体::

DPAK-3

Vds-漏源极击穿电压::

40 V

Id-连续漏极电流::

100 A

Pd-功率耗散::

227 W

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FDD9507L-F085现货原装,强势ON

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产品属性

属性值

选择属性

制造商:

onsemi

 

产品种类:

MOSFET

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

DPAK-3

 

晶体管极性:

P-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

40 V

 

Id-连续漏极电流:

100 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

4.4 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 16 V, + 16 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

3 V

 

Qg-栅极电荷:

130 nC

 

Pd-功率耗散:

227 W

 

通道模式:

Enhancement

 

资格:

AEC-Q101

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

onsemi

 

配置:

Single

 

下降时间:

132 ns

 

产品类型:

MOSFET

 

上升时间:

6 ns

 

工厂包装数量:

2500

 

子类别:

MOSFETs

 

典型关闭延迟时间:

400 ns

 

典型接通延迟时间:

10 ns

 

单位重量:

330 mg

 

毅创辉电子成立2008年,拥有14年供货经验,主营ALTERA XILINX

 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

封装 / 箱体::

DPAK-3

Vds-漏源极击穿电压::

40 V

Id-连续漏极电流::

100 A

Pd-功率耗散::

227 W