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产品属性 |
属性值 |
搜索类似 |
制造商: |
Vishay |
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产品种类: |
MOSFET |
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RoHS: |
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技术: |
Si |
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安装风格: |
SMD/SMT |
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封装 / 箱体: |
SOT-23-3 |
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晶体管极性: |
P-Channel |
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通道数量: |
1 Channel |
|
Vds-漏源极击穿电压: |
40 V |
|
Id-连续漏极电流: |
4.4 A |
|
Rds On-漏源导通电阻: |
77 mOhms |
|
Vgs - 栅极-源极电压: |
- 20 V, + 20 V |
|
Vgs th-栅源极阈值电压: |
1.2 V |
|
Qg-栅极电荷: |
21 nC |
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Pd-功率耗散: |
2.5 W |
|
通道模式: |
Enhancement |
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商标名: |
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封装: |
Reel |
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封装: |
Cut Tape |
|
封装: |
MouseReel |
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商标: |
Vishay Semiconductors |
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配置: |
Single |
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下降时间: |
8 ns |
|
高度: |
1.45 mm |
|
长度: |
2.9 mm |
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产品类型: |
MOSFET |
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上升时间: |
9 ns |
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系列: |
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工厂包装数量: |
3000 |
|
子类别: |
MOSFETs |
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晶体管类型: |
1 P-Channel |
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典型关闭延迟时间: |
20 ns |
|
典型接通延迟时间: |
8 ns |
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宽度: |
1.6 mm |
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零件号别名: |
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-GE3 |
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单位重量: |
8 mg |
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SOT-23-3
P-Channel
4.4 A
2.5 W