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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Vishay |
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产品种类: | MOSFET |
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RoHS: | 详细信息 |
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技术: | Si |
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安装风格: | SMD/SMT |
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封装 / 箱体: | PowerPAK-8-8L-4 |
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晶体管极性: | N-Channel |
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通道数量: | 1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
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Id-连续漏极电流: | 602 A |
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Rds On-漏源导通电阻: | 520 uOhms |
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Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压: | 3.5 V |
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Qg-栅极电荷: | 183 nC |
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Pd-功率耗散: | 600 W |
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通道模式: | Enhancement |
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系列: |
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封装: | Reel |
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封装: | Cut Tape |
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封装: | MouseReel |
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商标: | Vishay Semiconductors |
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下降时间: | 19 ns |
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产品类型: | MOSFET |
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上升时间: | 18 ns |
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工厂包装数量: | 2000 |
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子类别: | MOSFETs |
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晶体管类型: | 1 N-Channel |
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典型关闭延迟时间: | 60 ns |
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典型接通延迟时间: | 20 ns |
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PowerPAK-8-8L-4
60 V
602 A
- 20 V, + 20 V