深圳市毅创辉电子科技有限公司

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制造商:

Infineon

产品种类:

IGBT 模块

RoHS:

 详细信息

产品:

IGBT Silicon Modules

配置:

Half Bridge

集电极—射极饱和电压:

2.5 V

在25 C的连续集电极电流:

290 A

栅极—射极漏泄电流:

400 nA

Pd-功率耗散:

1.4 kW

封装 / 箱体:

Half Bridge2

封装:

Tray

商标:

Infineon Technologies

高度:

30 mm

长度:

106.4 mm

安装风格:

Chassis Mount

产品类型:

IGBT Modules

工厂包装数量:

10

子类别:

IGBTs

技术:

Si

宽度:

61.4 mm

零件号别名:

SP000014913 BSM200GB120DN2HOSA1