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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Infineon |
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产品种类: | MOSFET |
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RoHS: | 详细信息 |
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技术: | Si |
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安装风格: | Through Hole |
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封装 / 箱体: | TO-220-3 |
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晶体管极性: | N-Channel |
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通道数量: | 1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
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Id-连续漏极电流: | 180 A |
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Rds On-漏源导通电阻: | 3.7 mOhms |
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Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.8 V |
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Qg-栅极电荷: | 150 nC |
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Pd-功率耗散: | 370 W |
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通道模式: | Enhancement |
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封装: | Tube |
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商标: | Infineon Technologies |
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配置: | Single |
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高度: | 15.65 mm |
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长度: | 10 mm |
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产品类型: | MOSFET |
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工厂包装数量: | 1000 |
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子类别: | MOSFETs |
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晶体管类型: | 1 N-Channel |
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宽度: | 4.4 mm |
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零件号别名: | IRFB4110PBF SP001570598 |
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单位重量: | 2 g |
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TO-220-3
100 V
180 A
3.7 mOhms