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ZXMS6006DGTA只有原装代理价格优势
ZXMS6006DGTA只有原装代理价格优势
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ZXMS6006DGTA只有原装代理价格优势

封装 / 箱体::

SOT-223-4

Vds-漏源极击穿电压::

60 V

Id-连续漏极电流::

2.8 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 5 V, + 5 V

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ZXMS6006DGTA只有原装代理价格优势

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产品属性

属性值

选择属性

制造商:

Diodes Incorporated

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

REACH - SVHC:

详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

SOT-223-4

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

60 V

 

Id-连续漏极电流:

2.8 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

100 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 5 V, %2B 5 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

700 mV

 

Qg-栅极电荷:

-

 

zui小工作温度:

- 40 C

 

zui大工作温度:

%2B 125 C

 

Pd-功率耗散:

3 W

 

通道模式:

Enhancement

 

商标名:

IntelliFET

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

Diodes Incorporated

 

配置:

Single

 

下降时间:

15 us

 

产品类型:

MOSFETs

 

上升时间:

18 us

 

系列:

ZXMS6006

 

工厂包装数量:

1000

 

子类别:

Transistors

 

晶体管类型:

1 N-Channel

 

典型关闭延迟时间:

34 us

 

典型接通延迟时间:

8.6 us

 

单位重量:

112 mg

 

公司成立2008年,拥有16年供货经验 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

封装 / 箱体::

SOT-223-4

Vds-漏源极击穿电压::

60 V

Id-连续漏极电流::

2.8 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 5 V, + 5 V