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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Infineon |
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产品种类: | 绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
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RoHS: | 详细信息 |
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技术: | Si |
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封装 / 箱体: | TO-247-3 |
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安装风格: | Through Hole |
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集电极—发射极zui大电压 VCEO: | 600 V |
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集电极—射极饱和电压: | 2.1 V |
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栅极/发射极zui大电压: | - 20 V, 20 V |
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在25 C的连续集电极电流: | 140 A |
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Pd-功率耗散: | 454 W |
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资格: | AEC-Q100 |
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封装: | Tube |
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商标: | Infineon Technologies |
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栅极—射极漏泄电流: | 100 nA |
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产品类型: | IGBT Transistors |
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工厂包装数量: | 400 |
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子类别: | IGBTs |
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零件号别名: | SP001511778 |
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单位重量: | 38 g |
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TO-247-3
600 V
2.1 V
- 20 V, 20 V