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STP130NS04ZB 原装实单价优
STP130NS04ZB 原装实单价优
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STP130NS04ZB 原装实单价优

封装 / 箱体::

TO-220-3

Vds-漏源极击穿电压::

33 V

Id-连续漏极电流::

80 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 18 V, + 18 V

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STP130NS04ZB 原装实单价优

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制造商:

STMicroelectronics

 

产品种类:

MOSFET

 

技术:

Si

 

安装风格:

Through Hole

 

封装 / 箱体:

TO-220-3

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

33 V

 

Id-连续漏极电流:

80 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

9 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 18 V, %2B 18 V

 

zui小工作温度:

- 55 C

 

zui大工作温度:

%2B 175 C

 

Pd-功率耗散:

300 W

 

通道模式:

Enhancement

 

封装:

Tube

 

商标:

STMicroelectronics

 

配置:

Single

 

下降时间:

100 ns

 

高度:

9.15 mm

 

长度:

10.4 mm

 

产品类型:

MOSFETs

 

上升时间:

10 ns

 

系列:

MDmesh K5

 

子类别:

Transistors

 

晶体管类型:

1 N-Channel

 

典型关闭延迟时间:

220 ns

 

典型接通延迟时间:

40 ns

 

宽度:

4.6 mm

 

单位重量:

2 g

 

公司成立2008年,拥有16年供货经验 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

封装 / 箱体::

TO-220-3

Vds-漏源极击穿电压::

33 V

Id-连续漏极电流::

80 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 18 V, + 18 V