深圳市毅创辉电子科技有限公司

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制造商:

TT Electronics

产品种类:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

 详细信息

晶体管极性:

N-Channel

技术:

Si

Id-连续漏极电流:

2 A

Vds-漏源极击穿电压:

40 V

Rds On-漏源导通电阻:

-

工作频率:

1 GHz

增益:

10 dB

输出功率:

5 W

zui小工作温度:

-

zui大工作温度:

%2B 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

DQ

商标:

Semelab / TT Electronics

配置:

Dual

Pd-功率耗散:

35 W

产品类型:

RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:

25

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

DMOS FET

类型:

RF Power MOSFET

Vgs - 栅极-源极电压:

20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

1 V to 7 V

单位重量:

7.744 g