SQ2361ES-T1-GE3原装现货威世价格好_深圳市毅创辉电子科技有限公司

漏源电压（Vdss）：

60 V

Vgs（最大值）：

±20V

工作温度：

-55°C ~ 175°C（TJ）

功率耗散（最大值）：

2W（Tc）

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SQ2361ES-T1-GE3原装现货威世价格好

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类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET?
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷带
零件状态	停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.8A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）	177 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）	2.5V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）	12 nC @ 10 V
Vgs（zui大值）	?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）	550 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（zui大值）	2W（Tc）
工作温度	-55?C ~ 175?C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号	SQ2361

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