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AFT05MS031NR1主营NXP价格zui低
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AFT05MS031NR1主营NXP价格zui低

Id-连续漏极电流::

7.5 A

Vds-漏源极击穿电压::

40 V

最小工作温度::

- 40 C

最大工作温度::

+ 150 C

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制造商:

NXP

 

产品种类:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

 

RoHS:

 详细信息

 

晶体管极性:

N-Channel

 

技术:

Si

 

Id-连续漏极电流:

7.5 A

 

Vds-漏源极击穿电压:

40 V

 

工作频率:

136 MHz to 520 MHz

 

增益:

17.7 dB

 

输出功率:

33 W

 

zui小工作温度:

- 40 C

 

zui大工作温度:

%2B 150 C

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

TO-270-2

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

NXP Semiconductors

 

配置:

Single

 

湿度敏感性:

Yes

 

通道数量:

1 Channel

 

Pd-功率耗散:

294 W

 

产品类型:

RF MOSFET Transistors

 

系列:

AFT05MS031N

 

工厂包装数量:

500

 

子类别:

MOSFETs

 

晶体管类型:

LDMOS FET

 

类型:

RF Power MOSFET

 

Vgs - 栅极-源极电压:

%2B 12 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

2.6 V

 

零件号别名:

935325665528

 

单位重量:

529.550 mg

 

公司成立2008年,拥有16年供货经验 

 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

Id-连续漏极电流::

7.5 A

Vds-漏源极击穿电压::

40 V

最小工作温度::

- 40 C

最大工作温度::

+ 150 C