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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | NXP |
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产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
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RoHS: | 详细信息 |
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晶体管极性: | N-Channel |
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技术: | Si |
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Id-连续漏极电流: | 7.5 A |
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Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
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工作频率: | 136 MHz to 520 MHz |
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增益: | 17.7 dB |
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输出功率: | 33 W |
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zui小工作温度: | - 40 C |
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zui大工作温度: | %2B 150 C |
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安装风格: | SMD/SMT |
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封装 / 箱体: | TO-270-2 |
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封装: | Reel |
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封装: | Cut Tape |
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封装: | MouseReel |
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商标: | NXP Semiconductors |
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配置: | Single |
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湿度敏感性: | Yes |
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通道数量: | 1 Channel |
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Pd-功率耗散: | 294 W |
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产品类型: | RF MOSFET Transistors |
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系列: |
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工厂包装数量: | 500 |
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子类别: | MOSFETs |
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晶体管类型: | LDMOS FET |
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类型: | RF Power MOSFET |
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Vgs - 栅极-源极电压: | %2B 12 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.6 V |
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零件号别名: | 935325665528 |
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单位重量: | 529.550 mg |
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