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STB45N30M5保证原装,现货
STB45N30M5保证原装,现货
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STB45N30M5保证原装,现货

Id-连续漏极电流::

53 A

Rds On-漏源导通电阻::

37 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压::

- 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压::

3 V

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STB45N30M5保证原装,现货

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制造商:

STMicroelectronics

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

D2PAK-3 (TO-263-3)

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

300 V

 

Id-连续漏极电流:

53 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

37 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 25 V, %2B 25 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

3 V

 

Qg-栅极电荷:

95 nC

 

zui小工作温度:

- 55 C

 

zui大工作温度:

%2B 150 C

 

Pd-功率耗散:

250 W

 

通道模式:

Enhancement

 

商标名:

MDmesh

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

商标:

STMicroelectronics

 

配置:

Single

 

产品类型:

MOSFETs

 

系列:

M5

 

工厂包装数量:

1000

 

子类别:

Transistors

 

单位重量:

1.380 g

 

公司成立2008年,拥有16年供货经验 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

Id-连续漏极电流::

53 A

Rds On-漏源导通电阻::

37 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压::

- 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压::

3 V