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STW11NK100Z有现货,保原装
STW11NK100Z有现货,保原装
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STW11NK100Z有现货,保原装

Qg-栅极电荷::

113 nC

最小工作温度::

- 55 C

最大工作温度::

+ 150 C

Pd-功率耗散::

230 W

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STW11NK100Z有现货,保原装

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制造商:

STMicroelectronics

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

Through Hole

 

封装 / 箱体:

TO-247-3

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

1 kV

 

Id-连续漏极电流:

8.3 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

1.38 Ohms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 30 V, %2B 30 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

3 V

 

Qg-栅极电荷:

113 nC

 

zui小工作温度:

- 55 C

 

zui大工作温度:

%2B 150 C

 

Pd-功率耗散:

230 W

 

通道模式:

Enhancement

 

商标名:

SuperMESH

 

封装:

Tube

 

商标:

STMicroelectronics

 

配置:

Single

 

下降时间:

55 ns

 

正向跨导 - zui小值:

9 S

 

高度:

20.15 mm

 

长度:

15.75 mm

 

产品类型:

MOSFETs

 

上升时间:

18 ns

 

系列:

STW11NK100Z

 

工厂包装数量:

600

 

子类别:

Transistors

 

晶体管类型:

1 N-Channel Power MOSFET

 

类型:

MOSFET

 

典型关闭延迟时间:

98 ns

 

典型接通延迟时间:

27 ns

 

宽度:

5.15 mm

 

单位重量:

6 g

 

公司成立2008年,拥有16年供货经验 

 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

Qg-栅极电荷::

113 nC

最小工作温度::

- 55 C

最大工作温度::

+ 150 C

Pd-功率耗散::

230 W