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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | STMicroelectronics |
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产品种类: | 绝缘栅双极晶体管(IGBT) |
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RoHS: | 详细信息 |
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技术: | Si |
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封装 / 箱体: | TO-247-3 |
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安装风格: | Through Hole |
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配置: | Single |
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集电极—发射极zui大电压 VCEO: | 600 V |
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集电极—射极饱和电压: | 2.1 V |
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栅极/发射极zui大电压: | - 20 V, 20 V |
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在25 C的连续集电极电流: | 60 A |
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Pd-功率耗散: | 200 W |
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zui小工作温度: | - 55 C |
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zui大工作温度: | %2B 150 C |
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系列: |
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封装: | Tube |
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商标: | STMicroelectronics |
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集电极连续电流: | 30 A |
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集电极zui大连续电流 Ic: | 60 A |
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栅极—射极漏泄电流: | 100 nA |
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高度: | 20.15 mm |
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长度: | 15.75 mm |
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产品类型: | IGBT Transistors |
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工厂包装数量: | 600 |
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子类别: | IGBTs |
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宽度: | 5.15 mm |
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单位重量: | 38 g |
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TO-247-3
2.1 V
- 20 V, 20 V
60 A