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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Renesas Electronics |
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产品种类: | MOSFET |
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RoHS: | 详细信息 |
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技术: | Si |
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安装风格: | Through Hole |
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封装 / 箱体: | TO-3PF |
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晶体管极性: | N-Channel |
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通道数量: | 1 Channel |
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Vds-漏源极击穿电压: | 1.5 kV |
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Id-连续漏极电流: | 2 A |
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Rds On-漏源导通电阻: | 12 Ohms |
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Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, %2B 20 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
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zui大工作温度: | %2B 150 C |
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Pd-功率耗散: | 50 W |
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通道模式: | Enhancement |
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封装: | Tube |
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商标: | Renesas Electronics |
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下降时间: | 50 ns |
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正向跨导 - zui小值: | 0.45 S |
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高度: | 5.5 mm |
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长度: | 26.5 mm |
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产品类型: | MOSFETs |
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上升时间: | 50 ns |
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工厂包装数量: | 25 |
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子类别: | Transistors |
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晶体管类型: | 1 N-Channel |
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典型关闭延迟时间: | 150 ns |
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典型接通延迟时间: | 17 ns |
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宽度: | 15.5 mm |
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1.5 kV
2 A
12 Ohms
- 20 V, + 20 V