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产品属性 | 属性值 | 选择属性 |
制造商: | Vishay |
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产品种类: | MOSFET模块 |
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RoHS: | 详细信息 |
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技术: | Si |
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安装风格: | Screw Mount |
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封装 / 箱体: | SOT-227-4 |
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晶体管极性: | N-Channel |
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Vds-漏源极击穿电压: | 200 V |
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Id-连续漏极电流: | 287 A |
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Rds On-漏源导通电阻: | 4.7 mOhms |
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Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, %2B 20 V |
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Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.8 V |
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zui小工作温度: | - 40 C |
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zui大工作温度: | %2B 150 C |
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Pd-功率耗散: | 937 W |
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商标: | Vishay Semiconductors |
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配置: | Single |
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下降时间: | 118 ns |
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产品: | MOSFET Modules |
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产品类型: | MOSFET Modules |
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上升时间: | 212 ns |
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工厂包装数量: | 160 |
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子类别: | Discrete and Power Modules |
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商标名: |
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类型: | MOSFET |
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典型关闭延迟时间: | 134 ns |
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典型接通延迟时间: | 76 ns |
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Vf - 正向电压: | 930 mV |
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Vr - 反向电压 : | 200 V |
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单位重量: | 30 g |
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