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IRF3205STRLPBF有货就只有原装货
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IRF3205STRLPBF有货就只有原装货

封装 / 箱体::

D2PAK-3 (TO-263-3)

Vds-漏源极击穿电压::

55 V

Id-连续漏极电流::

110 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 20 V, + 20 V

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IRF3205STRLPBF有货就只有原装货

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属性值

选择属性

制造商:

Infineon

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

REACH - SVHC:

详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

D2PAK-3 (TO-263-3)

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

55 V

 

Id-连续漏极电流:

110 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

8 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, %2B 20 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

2 V

 

Qg-栅极电荷:

97.3 nC

 

zui小工作温度:

- 55 C

 

zui大工作温度:

%2B 175 C

 

Pd-功率耗散:

200 W

 

通道模式:

Enhancement

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

Infineon Technologies

 

配置:

Single

 

高度:

2.3 mm

 

长度:

6.5 mm

 

产品类型:

MOSFETs

 

工厂包装数量:

800

 

子类别:

Transistors

 

晶体管类型:

1 N-Channel

 

宽度:

6.22 mm

 

单位重量:

2.387 g

 

公司成立2008年,拥有17年供货经验 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

封装 / 箱体::

D2PAK-3 (TO-263-3)

Vds-漏源极击穿电压::

55 V

Id-连续漏极电流::

110 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 20 V, + 20 V