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SI4840BDY-T1-E3只要有货都是原装
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SI4840BDY-T1-E3只要有货都是原装

封装 / 箱体::

SOIC-8

Vds-漏源极击穿电压::

40 V

Id-连续漏极电流::

19 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 20 V, + 20 V

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SI4840BDY-T1-E3只要有货都是原装

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产品属性

属性值

选择属性

制造商:

Vishay

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

REACH - SVHC:

详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

SOIC-8

 

晶体管极性:

N-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

40 V

 

Id-连续漏极电流:

19 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

9 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, %2B 20 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

1 V

 

Qg-栅极电荷:

50 nC

 

zui小工作温度:

- 55 C

 

zui大工作温度:

%2B 150 C

 

Pd-功率耗散:

6 W

 

通道模式:

Enhancement

 

商标名:

TrenchFET

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

Vishay Semiconductors

 

配置:

Single

 

下降时间:

10 ns

 

正向跨导 - zui小值:

56 S

 

高度:

1.75 mm

 

长度:

4.9 mm

 

产品类型:

MOSFETs

 

上升时间:

15 ns

 

系列:

SI4

 

工厂包装数量:

2500

 

子类别:

Transistors

 

晶体管类型:

1 N-Channel

 

典型关闭延迟时间:

30 ns

 

典型接通延迟时间:

10 ns

 

宽度:

3.9 mm

 

零件号别名:

SI4840BDY-E3

 

单位重量:

187 mg

 

公司成立2008年,拥有17年供货经验 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

封装 / 箱体::

SOIC-8

Vds-漏源极击穿电压::

40 V

Id-连续漏极电流::

19 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 20 V, + 20 V