深圳市毅创辉电子科技有限公司

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制造商:

Vishay

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOT-363-6

晶体管极性:

N-Channel, P-Channel

通道数量:

2 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

20 V

Id-连续漏极电流:

700 mA

Rds On-漏源导通电阻:

390 mOhms, 850 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 12 V, %2B 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

1.5 V

Qg-栅极电荷:

3 nC

zui小工作温度:

- 55 C

zui大工作温度:

%2B 150 C

Pd-功率耗散:

340 mW

通道模式:

Enhancement

商标名:

TrenchFET

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

商标:

Vishay / Siliconix

配置:

Dual

下降时间:

13 ns

产品类型:

MOSFETs

上升时间:

22 ns

系列:

SI1

工厂包装数量:

3000

子类别:

Transistors

晶体管类型:

1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间:

22 ns

典型接通延迟时间:

16 ns

零件号别名:

SI1553CDL-T1-GE3