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IRLML6402TRPBF原装现货价格好
IRLML6402TRPBF原装现货价格好
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IRLML6402TRPBF原装现货价格好

封装 / 箱体::

SOT-23-3

Vds-漏源极击穿电压::

20 V

Id-连续漏极电流::

3.7 A

Qg-栅极电荷::

8 nC

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  • 参数

IRLML6402TRPBF原装现货价格好

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属性值

选择属性

制造商:

Infineon

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

SOT-23-3

 

晶体管极性:

P-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

20 V

 

Id-连续漏极电流:

3.7 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

65 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 12 V, %2B 12 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

4 V

 

Qg-栅极电荷:

8 nC

 

zui小工作温度:

- 55 C

 

zui大工作温度:

%2B 150 C

 

Pd-功率耗散:

1.3 W

 

通道模式:

Enhancement

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

Infineon Technologies

 

配置:

Single

 

高度:

1.1 mm

 

长度:

2.9 mm

 

产品类型:

MOSFETs

 

工厂包装数量:

3000

 

子类别:

Transistors

 

晶体管类型:

1 P-Channel

 

宽度:

1.3 mm

 

单位重量:

8 mg

 

公司成立2008年,拥有17年供货经验 

 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

封装 / 箱体::

SOT-23-3

Vds-漏源极击穿电压::

20 V

Id-连续漏极电流::

3.7 A

Qg-栅极电荷::

8 nC